SCR 器件在深亚微米CMOS静电保护电路中的应用

摘要：

:CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,对ESD保护的要求也更加严格,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施.针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况,总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理.旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向.

关键词：深亚微米、静电放电、SCR结构、可靠性

所属期刊栏目：27

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2006-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：277-280,284