10.3969/j.issn.1001-3474.2005.04.011
蓝宝石衬底片的抛光研究
本研究对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究,结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.抛光的适宜的温度及pH值条件为:T=30℃;13.0>pH≥9.0.并且在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率.实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除可以应用在蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中.
蓝宝石、抛光、机理、硅溶胶
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TN30(半导体技术)
2005-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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