高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术

摘要：

介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的BiC MOS逻辑门电路,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况.结果表明,这些电路的电源电压可达到2.0 V以下,而且信号传输延迟较小,有的还实现了全摆幅输出,因而它们可用于便携式电子设备和其它VLSI和ULSI新品等场合.

关键词：双极互补金属氧化物半导体、低电压、低功耗、全摆幅输出、超大规模集成电路、特大规模集成电路

所属期刊栏目：23

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏大学校科研和教改项目;徐州建筑职业技术学院校科研和教改项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27