10.3321/j.issn:0001-5733.2000.02.001
一次中强磁暴期间低纬电离层响应的CT成像
为考察赤道异常区电离层对中等强度磁暴的响应特性,用电离层CT成像方法重建电离层电子密度二维剖面.重建结果表明,暴时低纬电离层电子密度以降低为主,但暴相随纬度和高度而异;磁暴期间,赤道异常峰结构仍然存在,但恢复相期间峰的位置向赤道移动;磁暴急始之后约20min,在赤道异常峰区出现电子密度深度耗空,这种耗空遍及从底到顶的整个F区,朝赤道一侧显现水平梯度非常大的陡壁.这种与磁暴急始相联系的电子密度深度耗空现象很有意义,值得进一步研究.
低纬电离层、CT成像、磁暴、电离层暴
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P352.4(空间物理)
国家自然科学基金49984001;49674241;高等学校博士学科点专项科研项目
2007-01-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
145-151