Cu在TaN(111)表面团聚行为的分子动力学模拟

摘要：

原子层沉积(ALD)是下一代超大规模集成电路的首选工艺,但是Cu籽晶层在阻挡层上的团聚限制了ALD工艺在半导体工业中的应用.目前对Cu在阻挡层TaN表面的团聚机理和行为还缺乏足够的理论认识,为此利用第一性原理密度泛函理论(DFT)对不同覆盖度下Cu原子在TaN(111)表面的吸附能和电荷转移进行了研究,结果显示,Cu在TaN(111)表面的吸附强度随着Cu覆盖度的增加而减弱.利用从头算分子动力学模拟了500 K温度下Cu单分子层在TaN(111)表面的吸附动力学行为,结果表明,在这一典型的ALD温度下,Cu层在TaN(111)表面发生团聚,与实验中的观察结果相符.

关键词：团聚、TaN、DFT、分子动力学、半导体材料

所属期刊栏目：34

分类号：O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20873127

在线出版日期：2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：635-640