记忆元件在非冲激激励下的失忆现象

摘要：

本文分别从电路理论、物理学和数学等不同角度出发来讨论记忆元件在阶跃激励下的记忆量跳变情况,即失忆现象.通过分析表明,三种方法所得到的结论是相互印证的.同时,讨论的结果对于简化特定情况下的动态电路分析能够起到一定的作用.

关键词：记忆元件、非冲激激励、失忆现象

所属期刊栏目：35

分类号：TM13(电工基础理论)

在线出版日期：2013-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：13-15