直接隧穿栅电流对CMOS逻辑电路的影响

摘要：

对于纳米级的CMOS电路，由于MOS器件具有超薄的氧化层，栅隧穿漏电流的存在严重地影响了电路的正常工作。本文基于可靠性理论和电路级仿真深入地研究直接隧穿电流对CMOS逻辑电路的影响。仿真结果很好地与理论分析相符合，这些理论和仿真将有助于以后的集成电路设计。

关键词：直接隧穿、MOSFET、栅氧化层

所属期刊栏目：33

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61074051;湖南省教育厅资助项目10C0709;湖南科技大学博士启动基金项目E51080

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：52-54,111