低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计

摘要：

我们利用0.18μm CMOS工艺设计了低噪声放大器.所有电感采用片上螺旋电感,全集成在单个芯片上,并实现片内50Ω匹配.本次电路设计分析采用ADS仿真软件,电源电压1V,工作电流8mA,增益为15.4dB,噪声系数2.7dB,线性度指标IIP3为-0.6dB.结论是CMOS工艺在工艺和模型方面的改进,使得CMOS RF电路设计更为精确,可集成度更高.

关键词：CMOS射频集成电路、低噪声放大器、噪声系数

所属期刊栏目：28

分类号：TN722.3;TN702(基本电子电路)

在线出版日期：2006-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：54-56