10.3969/j.issn.1008-0686.2002.06.009
深亚微米CMOS低噪声放大器的设计
通过一个符合性能指标的、用于射频接收系统的CMOS低噪声放大器的设计,讨论了深亚微米MOSFET的噪声情况,并在满足增益和功耗的前提下,对低噪声放大器噪声性能进行分析和优化,该LNA工作在2.5GHz,3V电源电压,直流功耗为25mW,能够提供19dB的增益(S21),而噪声系数仅为2.5dB.同时输入匹配良好,S11为-42dB.整个电路只采用了一个片外电感使电路保持谐振.此设计结果证明CMOS工艺在射频集成电路设计领域具有可观的潜力.
CMOS RF-IC、低噪声放大器、深亚微米MOSFET、噪声系数
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TN7(基本电子电路)
2005-01-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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29-31,45