纳米MOSFET寄生电阻模型分析

摘要：

随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的寄生电阻模型.该文分析了短沟道寄生电阻模型,研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因,并对模型进行了改进.最后分析了器件参数对寄生电阻的影响,提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施.

关键词：纳米、MOSFET、短沟道、源漏寄生电阻、电阻模型

所属期刊栏目：5

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2009-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1762-1764