一种高压、宽输入的LDO电路设计

摘要：

为了满足在高压且大范围的电压条件下都能稳定输出一个电压,且有快速恢复时间和较小的过冲电压.本文基于华虹0.18μm BCD工艺设计了一款在高压下拥有宽范围输入电压8～40 V且在-50℃～165℃都能稳定输出5 V的LDO.并在带隙基准电路进行改进,采用无放大器的方法产生1.23 V的基准电压,温度系数达到10 ppm/℃.采取片外电容的方法和Buffer来分别提高电路的瞬态负载调整率和驱动电流,电路最大可驱动100 mA的负载.在负载为100 mA下,上冲电压和下冲电压也都分别为83 mV和79 mV,电压瞬态响应时间也在6μs左右.

关键词：高压、宽范围、10 ppm/℃、0.18 μm工艺

所属期刊栏目：13

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目;贵州省高层次创新型人才培养项目;贵州省研究生科研基金项目;贵州大学智能制造产教融合创新平台;研究生联合培养基地建设项目

在线出版日期：2023-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：123-128