与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计

摘要：

描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0 μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell；通过将高压注入与栅极多晶保持0.2 μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾；通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21 ～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压；饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求；阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.

关键词：高压器件、ONO型反熔丝、FPGA

所属期刊栏目：42

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：江苏省"333工程"科研资助项目BRA2011115

在线出版日期：2012-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：614-617