高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理

摘要：

针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,而是产生了界面态；栅氧化层电荷没有变化,使阈值电压基本不变,而界面态的增加导致线性区漏电流发生退化.电场和碰撞电离率是热空穴产生的主要原因,较长的p型缓冲区可以改善沟道区的电场分布,降低碰撞电离率,从而有效地减弱热载流子退化效应.

关键词：FG-pLEDMOS、热载流子、电荷泵、p型缓冲区

所属期刊栏目：42

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：江苏省自然科学基金资助项目BK2008287;江苏省青蓝工程资助项目

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28