低维电子材料的理论设计与性能调控研究

摘要：

文章首先阐述了低维电子材料的基本框架理论,其中主要包括单电子近似理论与Hartree-Fock方程的发展与应用.而后解读分析了点缺陷、线缺陷对低维电子材料晶格结构与性能的影响.最后以二硫化钨(WS2)片层材料与墨相氮化碳(g-c3n4)的设计性能调节为例,分别从低维平行应力与化学修饰两个要素层面,分析了与低维电子材料设计功能实现与性能调控有关的问题.

关键词：低维电子材料、理论设计、性能调控

分类号：TB34(工程材料学)

在线出版日期：2022-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：160-162