国内外电力电子器件发展现状
简要回顾了电力半导体器件的发展历史.对光控晶闸管(LTT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及反向开关两端晶闸管(RSD)等新型器件的工作原理、现状做了介绍.指出电力半导体是电力电子技术的基石,离开他们,电力电子技术将是无米之炊.
电力电子器件、LTT、IGBT、GCT、RSD
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TN3(半导体技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
18-22
电力电子器件、LTT、IGBT、GCT、RSD
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TN3(半导体技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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