基于双绞线型四层PCB罗氏线圈的碳化硅器件开关电流测量

摘要：

针对在碳化硅(SiC)功率器件开关电流测量中电磁干扰影响测量精度的问题,提出一种兼具强抗扰和高带宽特性的双绞线型四层印制电路板(PCB)罗氏线圈.首先,从SiC功率器件的物理和电气特性出发,分析了其开关电流测量对电流传感器的要求,即更高的带宽、更强的抗扰性以及在测量过程中引入更低的侵扰.接着,对PCB罗氏线圈的抗扰原理进行了分析,阐明了回线和屏蔽层抵御磁场和电场干扰的机制.然后,对三种典型PCB罗氏线圈(即两层、四层和六层PCB罗氏线圈)的抗扰性能进行了分析.基于此,提出一种双绞线型PCB罗氏线圈.该方案采用四层PCB设计,中间两层采用双绞线结构,外面两层进行接地屏蔽.仿真和实验表明,所提方案兼具强抗扰和高带宽特性,适合用于SiC器件的开关电流测量.

关键词：碳化硅器件;开关电流测量;罗氏线圈;印制电路板;双绞线结构;隐形回线

所属期刊栏目：25

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金;河北省自然科学基金绿色通道项目;河北省教育厅青年拔尖人才计划

在线出版日期：2022-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：46-57