三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究

摘要：

针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间容易产生高幅值的高频电压振荡,不仅增加了系统的电压应力,还为系统带来严重的电磁干扰的问题,对MOSFET的关断行为进行研究,通过分析低侧功率驱动电路中门极电压对MOSFET关断过程的影响,推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关系式;基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法,并设计了电路,电路在漏极电压首次超过母线电压的瞬间,自动生成一段辅助电平信号,并施加至门极,用以抑制电压过冲和振荡.分析及实验结果表明,该电路简单、灵活、动态响应迅速,可以非常有效的抑制高幅值的高频电压振荡.

关键词：MOSFET、电磁干扰、电压过冲、电压振荡、米勒效应

所属期刊栏目：17

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金："十二五"国防预研资助项目

在线出版日期：2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6