10.3969/j.issn.1007-449X.2011.01.014
小开口磁器件内通电悬丝形变有限元分析方法
针对测量小开口磁器件磁场的脉冲悬丝法无法建立三维磁场中悬丝形变解析推导以及无法应用于磁场结构设计优化的问题,依据磁场中通电悬丝运动的基本原理,提出基于有限元的永磁器件结构参数和磁场分布改变的通电悬丝形变分析方法.建立磁件-悬丝系统的电流场、磁场、应力场三维耦合仿真模型,用耦合场有限元计算替代近似的解析求解,对不同永磁磁件以及周期磁场中悬丝的形变进行对比,分析通电悬丝在均匀或各向异性周期磁场中各方向的形变规律,并给出建模和悬丝形变分析的实例.结果显示悬丝系统有限元仿真平台建立了悬丝形变和磁场分布之间的联系,可用于小开口磁件的结构设计和其内磁场分布规律的改善.
悬丝法、小开口磁件、有限元分析、三维磁场测量
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TM201(电工材料)
哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金HIT MD2002.1
2011-04-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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