制备条件对ScYSZ薄膜形貌的影响及其生长模型

摘要：

采用溶液旋涂法在石英基体上制备了氧化钇氧化钪共稳定氧化锆(ScYSZ)阻挡层薄膜,对前驱体的热分解过程进行了分析,并研究了基体温度和热处理温度对薄膜形貌的影响,在此基础上揭示了前驱体溶液结晶形核生长的过程.结果表明:前驱体在580℃完全分解.不同温度基体上薄膜的表面形貌表明,降低基体温度有利于晶体形核生长.薄膜经不同温度热处理后的表面形貌显示,热处理促进晶体生长与再结晶.在氧化钆掺杂氧化铈(GDC)电解质基体上制备了致密的ScYSZ薄膜,证实了晶体形核生长的规律.

关键词：阻挡层、薄膜、形核、溶液旋涂、固体氧化物燃料电池

所属期刊栏目：47

分类号：TM911

在线出版日期：2023-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：601-605