边缘湿法刻蚀GaInP/GaAs/Ge太阳电池研究

摘要：

介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池的光电转换性能.通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同溶液交替刻蚀相应Ⅲ-Ⅴ族材料,显微镜下,含溴水溶液工艺获得的划切槽明显优于交替溶液刻蚀形成的划切槽;通过一次性湿法刻蚀、两次套刻和真空蒸镀工艺制作的具有划切槽太阳电池AM0下光电转换效率达到29.13％,高于无划切槽工艺制作的GaInP/GaAs/Ge电池效率.

关键词：表面复合、湿法刻蚀、套刻、子电池

所属期刊栏目：44

分类号：TM914.4

在线出版日期：2020-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1619-1621