单结InxGa1-xN太阳电池特性的研究

摘要：

采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响.计算结果表明:p层厚度从0.05 μm增加到0.07 μm,In01Ga0.9N电池的转换效率缓慢增大;当p层厚度从0.07 μm逐渐增大到0.25 μm时,太阳电池的转换效率逐渐减小.当In掺杂浓度在0.5～0.7范围内逐渐增大时,短路电流密度逐渐增大,开路电压逐渐减小.当In的掺杂浓度为0.63时,转换效率达到最大,为19.80％,填充因子为0.82.因此,通过调节p层厚度和改变In掺杂浓度的方法可以提高单结InxGa1-xN太阳电池的光电特性.

关键词：p层厚度、In掺杂、InxGa1-xN太阳电池、光电特性

所属期刊栏目：43

分类号：TM914.4

资助基金：广西高校中青年教师基础能力提升项目2017KY0831

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：120-122