计算机模拟微晶硅薄膜太阳电池量子效率

摘要：

太阳电池的性能参数不仅受到本征层厚度的影响,也受本征活性层晶化率影响.基于AMPS-1D仿真软件,在模拟无缓冲层和最佳缓冲层两种条件下,计算不同本征层厚度和晶化率时电池相关参数.计算数据表明,缓冲层厚度在100 nm时,太阳电池性能最好,且高于无缓冲层情况;量子效率在长波段与本征层晶化率正相关,晶化率提高的同时,电池的短路电流增大,转换效率与填充因子降低.

关键词：太阳电池、晶化率、最佳缓冲层

所属期刊栏目：42

分类号：TM914

在线出版日期：2018-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1184-1186,1229