MOCVD制备禁带宽度2.1～2.2eV的AlGaInP太阳电池

摘要：

禁带宽度2.0～2.2 eV的AlGaInP太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的一结子电池,但目前高质量高Al组分的AlGaInP材料制备仍存在不小的挑战.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备制备了禁带宽度2.1～2.2 eV的AlGaInP太阳电池,研究了外延生长温度、表面活性剂等外延和结构参数对AlGaInP材料和电池性能的影响.通过优化外延生长温度和掺入表面活性剂,获得了在AM0光谱下开路电压达到1.58 V、光电转换效率为12.48％的AlGaInP单结太阳电池.

关键词：AlGaInP、太阳电池、MOCVD

所属期刊栏目：42

分类号：TM914

在线出版日期：2018-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1171-1173,1189