单晶硅太阳电池最高转换效率的模拟预测

摘要：

利用AFORS-HET软件模拟单晶硅异质结太阳电池的性能,实验完成后显示当加大发射层的厚度后,电池的短波响应会减弱,短路电流也会随之减小.缓冲层厚度不大于30 nm时,电池的优劣波动很大.没有放入单晶硅异质时,效果很差;然而将本征非晶缓冲层放入非晶硅/单晶硅异质结界面处后,提高了电池效率.由该软件模拟的a-Si/i-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的转换效率最高会达到32.16％.

关键词：单晶硅、异质结、太阳电池、模拟

所属期刊栏目：42

分类号：TM914

资助基金：河北省高等教育学会2015年度高等教育科学研究课题GJXH2015-375

在线出版日期：2018-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：255-257