实现组件PID合格的工艺研究

摘要：

主要研究了用在管式PECVD沉积SiO2-Si3N4叠层钝化膜对电池片效率及组件PID的影响.叠层钝化膜可以通过管式PECVD工艺一次性完成.沉积SiO2-Si3Nl4叠层膜与常规Si3N4膜进行对比,电池片效率可以提升0.07％,其中短路电流和开路电压提升明显.沉积SiO2-Si3N4叠层膜电池的组件可以实现PID合格.

关键词：管式PECVD、SiO2/Si3N4叠层膜、PID

所属期刊栏目：41

分类号：TM914

在线出版日期：2017-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：774-776