InGaN太阳电池光电转换特性的理论计算

摘要：

从p-n结太阳电池的理论模型和InxGa1-xN带隙的经验公式出发,结合实际材料参数,通过改变In组分来调节InxGa1-xN带隙.计算了标准太阳光谱AM1.5光子通量及该光谱下InxGa1-xN单结和InxGa1-xN/GaP异质双结太阳电池的光电转换效率.结果显示,InxGa1-xN单结太阳电池的最大转换效率是27.28％,与之对应的In组分为0.82.InxGa1-xN/GaP异质双结太阳电池的最高转换效率为30.75％,对应的In组分是0.74.这些结果可作为设计制备InGaN太阳电池的理论依据.

关键词：光电子材料、InGaN太阳电池、光电特性、转换效率、理论计算

所属期刊栏目：40

分类号：TM914.4

资助基金：国家自然科学基金61066002

在线出版日期：2016-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：604-606