化学水浴法制备大面积CdS薄膜及其性能研究

摘要：

采用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜.研究了反应溶液浓度和沉积时间对大面积CdS薄膜表面形貌和晶体结构的影响,优化了化学水浴沉积大面积CdS薄膜工艺.采用5×10-3 mol/L的(CH3COO)2cd、0.05mol/L的SC(NH2)2、1.5×10-2 mol/L的CH3COONH4、6.5×10-3 mol/L的NH3·H2O配置的反应溶液,75℃恒温水浴,沉积时间10 min作为工艺条件,在CIGS吸收层上沉积了面积为30 cm×30 cm、具有较好结晶质量的CdS薄膜.在此基础上完成柔性CIGS薄膜太阳电池制备,在AM 1.5,25℃条件下,面积约为2.5 cm2的柔性CIGS薄膜太阳电池最高光电转换效率达到9.12％.

关键词：大面积CdS(硫化镉)薄膜、化学水浴工艺、CIGS薄膜太阳电池

所属期刊栏目：39

分类号：TM914

在线出版日期：2015-09-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1685-1687