残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响

摘要：

由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0 eV InGaAs子电池和0.7 eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系.从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的InGaAs电池的等带隙分布线,并讨论了残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响.

关键词：晶格失配、太阳电池、残留应变、电池设计

所属期刊栏目：39

分类号：TM914.4

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：947-949