超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究

摘要：

通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 μm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池.对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论.

关键词：MOCVD技术、器件工艺、GaInP/GaInAs/Ge太阳电池

所属期刊栏目：38

分类号：TM914

在线出版日期：2014-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1069-1070,1142