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10.3969/j.issn.1002-087X.2013.11.022

腐蚀时间对多晶硅表面绒面影响研究

引用
研究了不同腐蚀时间下多晶硅绒面微观结构的演变规律,检测了其太阳电池电性能参数.研究表明:与110和170 s相比,当腐蚀时间为135S时,腐蚀深度适中,反射率约16.5%,属正常腐蚀;虽然腐蚀时间为170 s时,腐蚀深度较深,反射率较低(约14.6%),但从太阳电池电性能来说,腐蚀时间为135 s的太阳电池电性能参数为最优,其转换效率可达16.3%.另外,多晶硅绒面制备过程中,随着腐蚀时间延长,硅片表面微观结构的演变规律为:表面少量微裂纹→浅状气泡状凹坑→均匀性较好的绒面→形成大量小孔和“断裂带”.

多晶硅、酸腐蚀、绒面、腐蚀时间、形貌

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TM914.4

2013-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

1959-1961

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电源技术

1002-087X

12-1126/TM

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2013,37(11)

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