多晶硅片氧化前后方块电阻的变化实验研究

摘要：

通过实验发现,多晶硅片在不同温度下氧化后方块电阻的变化情况不同.温度较高时,氧化后方块电阻降低;温度较低时,氧化后方块电阻升高;单晶硅在任何温度下氧化后方块电阻都是降低的.通过分析认为是多晶硅的结构使其氧化后方块电阻的变化情况与单晶硅不同.

关键词：多晶硅、氧化、方块电阻、变化

所属期刊栏目：35

分类号：TM914.4

在线出版日期：2011-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：670-672