10.3969/j.issn.1002-087X.2009.09.003
掺杂In和Pbl2的n-PbTe材料的研究
在传统的掺杂卤族元素基础上掺杂一定的In元素,制备出高性能的n-PbTe基温差电材料;采用中频感应熔炼炉合金化得到均匀的基体,粉碎,然后在一定温度和压力下压制粉体得到样品锭块.测试了样品的热电性能,并且用场发射透射电镜对样品进行了微观分析,结果表明掺杂合适的Pbl2和In后,可以改善材料的热电性能,在一个较宽的温度范围内材料优值都保持一个较高的值.
PbTe基材料、掺杂、热电性能
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TM913
2010-01-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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