10.3969/j.issn.1002-087X.2009.05.015
铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征
以厚度为25~70μm的钛箔为衬底.直流磁控溅射法制备0.8~1.2μm的底电极Mo薄膜,而后以Culn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-x-xGaxSe2薄膜.以化学浴沉积法制备缓冲层CdS,射频磁控溅射法制备ZnO和ZAO,直流磁控溅射法制备上电极,制得结构为衬底Ti/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZAO/Al,其光电转换效率达到7.3%(25 ℃,AMO).
铜铟镓硒、薄膜、太阳电池、柔性
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TM914.4
天津市科技支撑计划重点项目07 ZCKFGX 02700
2009-12-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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