量子阱结构对GaInP/Ga(In)As/Ge电池的光谱响应改善

摘要：

采用MOCVD工艺制备具有应变平衡量子阱结构GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的方法,及量子阱结构对中间电池的光谱响应的改善,从而使GainP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池各子电池电流匹配设计更为合理,揭示了量子阱结构提高GaInP/Ga(In)As/Ge三结级联太阳电池光电转换效率的可能性.

关键词：周期应变平衡量子阱结构、三结级联太阳电池、电流匹配、光谱响应、量子效率

所属期刊栏目：32

分类号：TM914

在线出版日期：2008-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：113-114