10.3969/j.issn.1002-087X.2006.11.020
不锈钢与金基体上电沉积Bi2Te3-ySey薄膜
采用控电位电沉积技术以不锈钢和金为基体制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜.通过环境扫描电子显微镜(ESEM)、能量散射光谱(EDS)、X射线衍射光谱法(XRD)等方法,研究了不同基体对Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜形貌、组成及结构的影响.结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的溶液中,可实现铋、碲、硒三元共沉积,制备出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜.以金为基体电沉积的Bi2Te3-ySey薄膜的表面较平整、致密.在-0.04 V沉积电位下,以不锈钢和金为基体电沉积Bi2Te3-ySey薄膜组成分别为Bi2Te2.39Se0.77和Bi2Te2.45Se0.85,且在不锈钢上电沉积制备的Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数更高,为-60 μV/K.
Bi2Te3-ySey化合物、电沉积、温差电材料薄膜、形貌
30
TM91
国家自然科学基金50071040
2006-12-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
937-939