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10.3969/j.issn.1002-087X.2006.10.009

制备条件对NiO/SDC阳极基体上LSGMC膜性能的影响

引用
以未完全晶化的Lao 8Sr0.2Ga0.8Mg0.115Co0.085O3-δ(LSGMC)为原料,用胶体沉积法在NiO/SDC阳极基体上制备出LSGMC膜.用X射线衍射方法(XRD)、直流四端法和扫描电子显微镜(SEM)研究制备条件对LSGMC膜相成分、电学性能和表面形貌的影响.研究结果表明,阳极基体煅烧温度对LSGMC膜的电学性能具有强烈的影响.LSGMC膜经1 400℃烧结10 h具有较高的电学性能和致密性.1 400℃烧结10 h的LSGMC膜800℃时的电导率达到0.97S/cm.研究还表明,由于LSGMC膜在制备过程中,阳极基体中的Ni扩散到LSGMC膜中,引入了电子电导,因此导致NiO/SDC阳极基体上LSGMC膜的电导率明显增大.

掺杂镓酸镧、固体电解质膜、电学性能

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TM91

吉林省科技发展计划2000322

2006-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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电源技术

1002-087X

12-1126/TM

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2006,30(10)

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