采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究

摘要：

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜.对SnO2:F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 Ω/口左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%.分析了HF和NH4F掺杂的不同点.对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究.对SnO2:Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构.并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析.

关键词：超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD)、SnO2:F、SnO2:Sb、NH4F、HF

所属期刊栏目：28

分类号：TM914.4

在线出版日期：2005-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：779-783