硅钨酸锂在聚合物电解质中的应用

摘要：

采用萃取法制备了具有微孔结构的偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物[P(vDF-HFP)]膜,其中掺杂不同质量分数的硅钨酸锂(Li4SiW12O40),吸附碳酸丙烯酯(Pc)后,具有10-4S·cm-1的离子电导率.DSC分析结果显示,聚合物电解质的结晶度随Li4SiW12O40掺杂量的增加而降低.利用电化学阻抗法测试了聚合物电解质的离子电导率,发现当聚合物膜中掺杂8.5%(质量百分数)的Li4SiW12O40时,聚合物电解质具有较高的离子电导率(3.56×10-4S·cm-1).采用交流阻抗与直流极化相结合的方法测试了聚合物电解质的离子迁移数,随Li4SiW12O40的掺杂质量分数的增加,Li+离子迁移数逐渐降低.通过分析聚合物膜掺杂Li4SiW12O40前后的FTIR光谱图,发现Li4SiW12O40与P(VDF-HFP)共聚物分子链之间存在氢键和配位作用.

关键词：硅钨酸锂、聚偏氟乙烯、聚合物电解质、离子电导率、离子迁移数

所属期刊栏目：28

分类号：TM912.9

资助基金：湘潭大学校科研和教改项目02 XZX 09

在线出版日期：2005-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：743-747