a-Si太阳电池p层微晶结构的研究

摘要：

用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/n(SiH4)=100,n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出掺硼的非晶氢化硅薄膜.通过拉曼光谱、激活能测试、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度的硅烷在一定的掺杂比时[n(B2H6)/n(SiH4)=1%],沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构,暗电导率可达10-1Ω-1·cm-1,激活能可达0.2 eV左右,接着又用μC-Si:H与传统所用的a-SiC:H分别做电池的p层,比较了二者的I-V特征,发现μC-Si:H作为电池的p层有更大的优越性.

关键词：化学气相沉积法、微晶氢化硅、转化效率、太阳电池

所属期刊栏目：27

分类号：TM914.4

在线出版日期：2004-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：459-461