10.3969/j.issn.1002-087X.2003.01.007
控制结晶法合成表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4
为了解决尖晶石LiMn2O4在高温下的容量衰减问题,制备出了表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4.采用控制结晶工艺在Mn3O4颗粒表面包覆一层β-Co(OH)2,以包覆Co(OH)2的Mn3O4为前驱体,与LiOH*H2O混合,在750 ℃下反应20 h,合成表面富含钴的LiMn2-xCoxO4.X射线衍射分析表明,合成的LiMn2-xCoxO4为尖晶石结构,没有杂相.扫描电镜和能量散射光谱(EDS)的分析结果表明,该尖晶石LiMn2-xCoxO4为类球形,而且表面富含钴.这种表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4在高温下仍然具有良好的电化学性能,在55 ℃下其首次放电比容量为101 mAh*g-1,15次充放电循环之后,仍保持初始放电容量的99%.而尖晶石LiMn2O4在15次循环后,仅能保持初始放电容量的82%.
锂离子蓄电池、表面富含钴的尖晶石LiMn2-xCoxO4、控制结晶、Mn3O4、β-Co(OH)2
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TM912.9
国家自然科学基金50002006;清华大学校科研和教改项目JC 1999054
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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17-19,23