外连式SnO2导电膜非晶硅太阳电池

摘要：

介绍了用化学气相法沉积大面积透明SnO2:F膜的制作与原理.提出了一种大面积透明SnO2:F膜的腐蚀成型方法,即用通用抗蚀干膜经曝光、显影形成所要图形,用稀释的粘接剂与锌粉按一定比例混合,用丝网印刷工艺将其均匀地涂覆在抗蚀干膜之上,放入盐酸溶液中腐蚀SnO2:F膜,得到了边缘整齐、无针孔的图形.将腐蚀成型的SnO2导电玻璃经清洗送入非晶硅沉积室,采用辉光放电法顺序沉积p、i、n三层,在高真空容器中蒸发铝电极,制作了外连式SnO2导电膜非晶硅太阳电池,并与外连式氧化铟锡(ITO)导电膜非晶硅太阳电池进行了比较,电性能明显提高,尤其是短路电流平均提高了29.3%,在200 lx白荧光灯照射下,单位面积最大输出功率达7.76 μm/cm2.

关键词：SnO2、非晶硅、太阳电池

所属期刊栏目：26

分类号：TM914.4

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：89-91