高均匀性的铜柱凸块电镀

摘要：

随着电子产品的小型化、多功能化和高性能化的发展,促使着2D集成封装向2.5D或3D集成封装发展.铜柱凸块电镀是晶圆级三维封装的关键基础技术之一.本文研究了铜柱凸块的电镀均匀性与添加剂浓度、镀液对流、电流密度和电镀设备之间的影响规律.研究结果表明,添加剂浓度、镀液对流以及电流密度对单个铜柱凸块的平整度影响较大,而对铜柱凸块高度的均一性影响较小.相反,电镀设备对铜柱凸块的高度均一性的影响较大,而对铜柱凸块的平整度影响较小.在三种有机添加剂中,整平剂对铜柱凸块的平整度影响最大,随着镀液中整平剂浓度的增加,铜柱凸块顶部形状由凸起、变为平整、再转变为凹陷.电镀液的单向对流会导致所沉积铜柱凸块形貌发生倾斜.高的电流密度会导致凸顶的铜柱凸块形貌.精密设计的电镀设备可以提高晶圆上电流密度分布的均匀性,继而大幅提高电镀铜柱凸块的共面性.本文的研究结果可为铜柱凸块的电镀优化提供指导.

关键词：铜柱凸块、电化学沉积、均匀性、添加剂、整平剂

所属期刊栏目：28

分类号：TQ174;TM923.323;TN432

在线出版日期：2022-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：94-103