化学镀钴和超级化学镀填充的研究进展

摘要：

随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高.当互连线宽度接近7nm时,铜互连线的电阻率与钴接近.IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料.然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技术工艺仍是一个很大的挑战.化学镀是在绝缘体表面形成金属种子层的一种非常简单的方法,通过超级化学镀填充方式,直径为几纳米的盲孔可以无空洞和无缝隙的方式完全填充.本文综述了化学镀钴的研究进展,并分析了还原剂种类对化学镀钴沉积速率和镀膜质量的影响.同时,在长期从事超级化学填充研究的基础上,作者提出了通过超级化学镀钴技术填充7 nm以及一下微盲孔的钴互连线工艺.

关键词：化学镀、超级化学镀钴、超级化学镀铜、铜互连线、钴互连线

所属期刊栏目：28

分类号：TN405.97;O224;F426.63

在线出版日期：2022-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：47-56