光电流谱、光致发光光谱和紫外可见吸收光谱在纳米半导体光电器件研究中的联用
在纳米半导体中由于纳米效应(如量子尺寸效应),其电子结构与块体半导体有所不同.进一步地,当纳米半导体与基底和其他组分结合制成器件后,其性质又受到基底或其他组分的影响,这两点导致了基于纳米半导体的光电器件的性能以及相应表征方法也大不相同.将光电流谱、光致发光光谱和紫外可见吸收光谱三种技术有机地结合起来,可以更好地表征纳米半导体的电子性质和光电性能.本文根据纳米半导体材料与电极的电子性质特点及其测量,结合本课题组前期工作,举例介绍三种谱学方法相结合应用于探究光伏电池和电致发光器件的纳米半导体材料的性能,以及纳米半导体材料表面态的表征.
光电流谱、光致发光光谱、紫外可见吸收光谱、纳米半导体
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O472.3;TN383.1;TN256
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点研发计划
2021-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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