旋转对流下铜在微沟道中的电沉积

摘要：

将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2～3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.

关键词：电沉积、铜、旋转电极、微沟道、芯片、超等厚沉积

所属期刊栏目：10

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金60076002;福建省青年科技人才创新基金2003J013;福州大学校科研和教改项目2003-XQ-10

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：210-214