期刊专题

10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221116

基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控

引用
得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用.然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行.基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOSFET器件开关轨迹调控方法,实现开关速度、损耗、过冲、振荡、串扰、延迟等多项性能的协同优化,建立驱动电阻对SiC器件开关轨迹定量调控的数学模型,发现开关性能量化指标与开关轨迹不同阶段之间的解耦规律,提出分阶段变电阻的驱动方法,实现开关轨迹中多个控制目标之间的协同优化,给出驱动电阻取值的通用设计方法,提出驱动电阻切换的交错时序逻辑,对比传统驱动方法,采用大量实验结果,验证了所提模型方法的有效性.

SiC MOSFET器件、主动栅极驱动、四阶段变电阻、开关轨迹调控、多目标协同

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TM464(变压器、变流器及电抗器)

国家自然科学基金;重庆市基础研究与前沿探索项目;重庆市研究生科研创新项目

2023-09-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共15页

4286-4300

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电工技术学报

1000-6753

11-2188/TM

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2023,38(16)

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