Cascode GaN高电子迁移率晶体管高频驱动电路及损耗分析

摘要：

为了减小氮化镓驱动电路高频工作时的损耗,针对共栅共源氮化镓高电子迁移率晶体管(Cascode GaN HEMT)提出一种高频谐振驱动电路,采用储能元件替代传统驱动电路中的耗能元件,电感电流为GaN器件栅极电容充/放电,有源密勒钳位电路抑制桥臂串扰.该文重点研究高频谐振驱动电路的工作模态,对电路损耗进行详细分析,给出电感取值的选取原则,并利用PSIM软件对电路进行仿真.最终搭建实验平台对电路的性能进行测试.结果表明,电感为电容充/放电提供低阻抗通路,能有效减小GaN器件驱动电路的电压振荡,明显降低驱动电路的损耗.仿真和实验同时证明了所提出的电路具有较好的性能.

关键词：Cascode GaN高电子迁移率晶体管;高频谐振;驱动电路;串扰抑制;低损耗

所属期刊栏目：36

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51777167

在线出版日期：2021-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：4194-4203