带飞跨电容的三电平拓扑中SiC MOSFET过电压与过电流保护

摘要：

为保证SiC MOSFET在三电平拓扑中应用的可靠性,需对其进行过电压与过电流保护.该文针对短路导致的过电压情况,提出在中点钳位(NPC)拓扑中加入大电容值飞跨电容的方法,并结合短路保护,保证发生短路故障时SiC MOSFET不过电压损坏,且能快速保护关断,以减小过电流风险.通过搭建短路测试平台,验证了三电平电路发生短路故障时,大电容值飞跨电容对SiC MOSFET起到过电压保护作用,且SiC MOSFET的短路保护时间在2μs以内.

关键词：三电平、大电容值、飞跨电容、过电压保护

所属期刊栏目：36

分类号：TN386.1;TM131.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金联合基金资助项目U1766207

在线出版日期：2021-02-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：341-351