基于GaN-HEMT器件的双有源桥DC-DC变换器的软开关分析

摘要：

对运用双有源桥DC-DC变换器(DAB)的软开关电路进行了建模,并依据此模型,对运用不同开关管的DAB软开关范围进行对比.首先,介绍传统移相控制下的DAB的工作原理,推导辅助电感的电流值.然后,对DAB的左右全桥的开关管进行了软开通电路建模.通过对MOSFET和GaN-HEMT两种开关管的输出电容进行数值拟合,对比二者在不同工作状况下的开通过程,发现运用GaN-HEMT能够扩大软开关范围.之后,根据GaN器件结构的特点,对不同死区时间下的电流尖峰和电路损耗进行对比.最后,基于Pspice仿真软件得到了不同条件下软开关的电感电流和寄生电容电压波形,分析了变换器的功率特性,并搭建GaN-HEMT实验平台进行了实验验证.

关键词：双有源桥、GaN-HEMT、软开关、死区时间

所属期刊栏目：34

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金重点资助项目61733010

在线出版日期：2020-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：534-542