直流GIS/GIL盆式绝缘子表面电荷主导 积聚方式的转变机理

摘要：

构建气体侧传导(包含气体载流子产生、扩散、漂移、复合等输运过程)、绝缘材料体传导和表面传导共存条件下盆式绝缘子表面电荷积聚仿真模型,研究了三种参数变化条件下表面积聚特性.仿真表明,当气体中离子对生成率和绝缘子体电导率改变时,绝缘子表面电荷极性会发生改变.在此过程中,表面电荷积聚主导途径会在气体侧传导和绝缘子体传导之间转变.根据净电荷值的规律分别定义离子对生成率和体电导率改变时积聚途径改变的临界值,由于电场分布的差异导致上表面及下表面的临界离子对生成率不同,临界体电导率为5.76×10-18S/m.当绝缘子表面电导率增大时,表面传导对电荷积聚的影响逐渐增大,可以推测出表面电导率足够大时,电荷积聚主导机理会转变为表面传导.该研究有助于理解表面电荷的积聚机理,并能够为抑制电荷积聚提供新的思路.

关键词：直流GIS/GIL、表面电荷积聚、离子对生成率、表面电导率、体电导率

所属期刊栏目：34

分类号：TM85(高电压技术)

资助基金：国家自然科学基金51877156;中国电机工程学会青年人才托举工程2018025;国家电网公司总部科技项目PGKJ2018-151

在线出版日期：2019-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：5039-5048